产品介绍
描述
Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技术 TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道极性选项，可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流电压范围 MOSFET 上进行扩展。这些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封装，具有60V、80V 和 100V 直流电压。应用包括电源、电机驱动器开关、直流/直流电源逆变器和整流器、电动工具及电池管理。
特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
最高结温 175°C
低的 Qgd 减少了通过 Vplateau所造成的功率损耗
经Rg 和 UIS 测试
Qgd/Qgs 比 < 0.25
可通过逻辑电平栅极驱动进行操作
规格
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 120 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.8 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | +/- 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 126 nC |
最大工作温度: | + 175 C |
技术: | Si |
封装: | Reel |
通道模式: | Enhancement |
配置: | 1 N-Channel |
下降时间: | 11 ns |
最小工作温度: | - 55 C |
Pd-功率耗散: | 375 W |
上升时间: | 20 ns |
晶体管类型: | N-Channel |
典型关闭延迟时间: | 55 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
单位重量: | 2.300 g |
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