产品介绍
描述
Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技术 TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道极性选项，可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流电压范围 MOSFET 上进行扩展。这些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封装，具有60V、80V 和 100V 直流电压。应用包括电源、电机驱动器开关、直流/直流电源逆变器和整流器、电动工具及电池管理。
特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
最高结温 175°C
低的 Qgd 减少了通过 Vplateau所造成的功率损耗
经Rg 和 UIS 测试
Qgd/Qgs 比 < 0.25
可通过逻辑电平栅极驱动进行操作
规格
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | TO-263-7 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
Id-连续漏极电流: | 120 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 4.6 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | +/- 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V | |
Qg-栅极电荷: | 76 nC | |
最大工作温度: | + 175 C | |
技术: | Si | |
封装: | Reel | |
配置: | 1 N-Channel | |
通道模式: | Enhancement | |
下降时间: | 15 ns | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 375 W | |
上升时间: | 22 ns | |
晶体管类型: | N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 55 ns | |
典型接通延迟时间: | 15 ns | |
单位重量: | 1.600 g |
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