产品介绍
概述
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否出容差范围，一旦出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
无外部电源时最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% VCC工作范围(DS1250Y)
可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)
可选的工业级温度范围：-40°C至+85°C，指定为IND
JEDEC标准的32引脚DIP封装
PowerCap模块(PCM)封装
表面贴装模块
可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
所有非易失SRAM器件提供标准引脚
分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
| 型号 | 封装 | 温度 |
| DS1250Y-100 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-100+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-100IND | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250Y-100IND+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250Y-70 | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-70+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-70-W | EDIP,；32引脚；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-70IND | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250Y-70IND+ | EDIP,；32引脚；707.2mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250YL-70-IND | LPM； | -40°C至+85°C |
| DS1250YP-100 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250YP-100+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250YP-70 | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250YP-70+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250YP-70IND | PCAP,；34引脚；596.9mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250YP-70IND+ | PCAP,；34引脚；596.9mm² | -40°C至+85°C |
