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SUM60030E-GE3 n沟道场效应管

更新:2024/1/31 17:41:49      点击:
  • 产品品牌   Vishay
  • 产品型号   SUM60030E-GE3
  • 产品描述   MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET...

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产品介绍

描述

Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技术 TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道极性选项,可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流电压范围 MOSFET 上进行扩展。这些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封装,具有60V、80V 和 100V 直流电压。应用包括电源、电机驱动器开关、直流/直流电源逆变器和整流器、电动工具及电池管理。

特性

TrenchFET® 功率 MOSFET

最高结温 175°C

低的 Qgd 减少了通过 Vplateau所造成的功率损耗

经Rg 和 UIS 测试

Qgd/Qgs 比 < 0.25

可通过逻辑电平栅极驱动进行操作

规格

通道数量:

1 Channel


晶体管极性:

N-Channel


Vds-漏源极击穿电压:

80 V


Id-连续漏极电流:

120 A


Rds On-漏源导通电阻:

3.4 mOhms


Vgs - 栅极-源极电压:

+/- 20 V


Vgs th-栅源极阈值电压:

2 V


Qg-栅极电荷:

94 nC


最大工作温度:

+ 175 C


技术:

Si


封装:

Reel


通道模式:

Enhancement


配置:

1 N-Channel


下降时间:

14 ns


最小工作温度:

- 55 C


Pd-功率耗散:

375 W


上升时间:

24 ns


晶体管类型:

N-Channel


典型关闭延迟时间:

34 ns


典型接通延迟时间:

24 ns


单位重量:

2 g





 

 

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